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Thyristor (inductive load) of OR-T304X(L)_OR-T306X(L)_OR-T308X(L) -EN-V1

OR-T304X(L)_OR-T306X(L)_OR-T308X(L)のサイリスタ(誘導負荷) -EN-V1

入力と出力間の高い絶縁電圧 (Viso:5000 V rms )

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製品説明

GaAIA/GaAs 940 IrEDチップ

1. 特徴

(1) 入出力間の高絶縁電圧 (Viso:5000 V rms )

(2) 4 ピンゼロクロス光アイソレータトライアックドライバ出力

(3) 高い繰り返しピークオフ状態電圧 VDRM :

T304X: 最小。 400V;T306X: 最小。 600V;T308X: 最小。 800V

(4) 高い臨界オフ電圧上昇率(dV/dt : MIN. 1000V / μs )

(5) デュアルインラインパッケージ、ワイドリードスペースパッケージ。表面実装パッケージ。

(6) 動作温度 -40 ℃ ～ +110 ℃

(7) 安全性承認

UL 承認済み (No.E323844)

VDE 承認済み(No.40029733)

CQC 承認済み (No.CQC09001029446)

(8) RoHS、REACH 規格に準拠

(9) MSL クラス Ⅰ

2. 説明

OR-T304X(L)/306X(L)/308X(L) シリーズのデバイスは、それぞれモノリシックシリコンのゼロ電圧交差フォトトライアックに光学的に結合された GaAs 赤外発光ダイオードで構成されています。ソリッドステートリレー、産業用制御装置、モーター、ソレノイド、家庭用電化製品などのロジックシステムのインターフェイスでディスクリートパワートライアックと併用します。

3. 適用範囲

•AC モータードライブ

•AC モータースターター

•静的電源スイッチ

•照明コントロール

•ソレノイド/バルブ制御

•ソリッドステートリレー

•温度管理

4. 絶対最大定格 (Ta=25℃)

サイリスタフォトカプラ

5. Ta=25℃における電気光学特性

サイリスタフォトカプラ

GaAs/GaAs 940 IrEDチップ

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