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Consume Grade Phototransistor Optocoupler OR-3H7-EN-V13

消費グレードのフォトトランジスタオプトカプラ OR-3H7-EN-V13

OR-3H7-4 シリーズデバイスには、4 つの赤外線 LED と 4 つのフォトトランジスタ検出器が含まれています。 16 ピン SOP にカプセル化されており、ハロゲンや Sb2O3 は含まれていません

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製品説明

フォトカプラ 3H7

特徴

(1) 4N2X シリーズ: 4N25、4N26、4N27、4N28;4N3X シリーズ: 4N35、4N36、4N37、4N38

入力と出力間の高絶縁電圧 (Viso=5000 V rms)
沿面距離>7.62 mm
動作温度最大 +115°C
コンパクトなデュアルインラインパッケージ
ESD パス HBM 8000V/MM 2000V
安全性の承認

UL認定(No.E323844)

VDE 承認済み(No.40029733)

CQC 承認済み (No.CQC19001231480 )

RoHS、REACH規格に準拠。
MSL クラス Ⅰ

指示

4N2X、4N3X、一連のデバイスはそれぞれ赤外線発光ダイオードで構成されています

はフォトトランジスタに光学的に結合されています。6 ピン DIP パッケージにパッケージされており、広いリード間隔と SMD オプションで入手可能です。

適用範囲

電源レギュレータ
デジタルロジック入力
マイクロプロセッサ入力

機能図

消費グレードのフォトトランジスタオプトカプラ OR-3H7-EN-V13

絶対定格最大値（常温=25℃）

パラメータ		シンボル	定格値	ユニット
入力	順電流	IF	60	ミリアンペア
	ジャンクション温度	TJ	125	℃
	逆電圧	VR	6	V
	許容損失 (TA = 25°C) ディレーティング係数 (100°C 以上)	PD	100	mW
	許容損失 (TA = 25°C) ディレーティング係数 (100°C 以上)	PD	3.8	mW/℃
出力	コレクタ - エミッタ間電圧	VCEO	80	V
	コレクタ - ベース電圧	VCBO	80
	エミッタ - コレクタ間電圧	ベコ	7
	エミッタ - ベース間電圧	ベボ	7
	許容損失 (TA = 25°C) ディレーティング係数 (100°C 以上)	パソコン	150	mW
	許容損失 (TA = 25°C) ディレーティング係数 (100°C 以上)	パソコン	9.0	mW/℃
総消費電力		ポイント	200	mW
※1 絶縁電圧		ビザ	5000	Vrms
使用温度		トップル	-55 ～ + 115	℃
堆積温度		TSTG	-55 ～ + 150
*2 はんだ付け温度		TSOL	260

※1. AC テスト、1 分間、湿度 = 40 ～ 60% 以下の絶縁テスト方法:

フォトカプラの両端子をショートしてください。
絶縁電圧をテストするときに電流が流れません。
テスト時に正弦波電圧を追加する

※2.はんだ付け時間は10秒です。

光電子特性

パラメータ			シンボル	分	標準値*	マックス	ユニット	状態
入力	順電圧		VF	---	1.2	1.5	V	IF=10mA
	逆電流		赤外線	---	---	10	μA	VR=6V
	コレクタ容量		シン	---	30	---	pF	V=0、f=1MHz
出力	コレクタベース暗電流		ICBO	---	---	20	該当なし	VCB=10V
	コレクタからエミッタへの電流	4N2X	アイセオ	---	---	50	該当なし	VCE=10V、IF=0mA
	コレクタからエミッタへの電流	4N3X	アイセオ	---	---	50	該当なし	VCE= 60V、IF=0mA
	コレクタ - エミッタ間減衰電圧		BVCEO	80	---	---	V	IC=1mA
	コレクタ - ベース間の降伏電圧		BVCBO	80				IC=0.1mA
	エミッタ - コレクタ間減衰電圧		ビベコ	7	---	---	V	IE=0.1mA
	エミッタ - ベース間降伏電圧		ビベボ	7				IE=0.1mA
変換特性	電流転送率	4N35、4N36、4N37	クリック率	100	---	---	%	IF=10mA VCE=10V
		4N25、4N26、4N38		20	---	---
		4N27、4N28		10	---	---
	コレクタおよびエミッタ飽和電圧	4N25、4N26、4N27、 4N28	VCE(土)	---	---	0.5	V	IF=50mA IC=2mA
		4N35、4N36、4N37		---	---	0.3		IF=10mA、IC=0.5mA
		4N38		---	---	1.0		IF=20mA、IC=4mA
	絶縁抵抗		リソ	1011	---	---	Ω	DC500V 40~60%R.H.
	浮遊容量		参照	---	0.2	---	pF	V=0、f=1MHz
	応答時間		トラ	---	3	10	μs	VCC=10V、IC=10mA RL=100Ω
	降下時間		TF	---	6	10	μs	VCC=10V、IC=10mA RL=100Ω

電流変換率 = IC / IF × 100%

注文情報

部品番号

OR-4NXXU-Y-Z

注記

4NXX = 部品番号、4N25、4N26、4N27、4N28、4N35、4N36、4N37 または 4N38。

U = リードフォームオプション (S、M、またはなし)

Y = テープとリールのオプション (TA、TA1、またはなし)。

Z = VDE 安全のための「V」コード (このオプションは必要ありません)。

* VDE コードを選択できます。

オプション	説明	梱包数量
なし	標準 DIP-6	チューブあたり 66 ユニット
M	広いリードベンド (0.4 インチ間隔)	チューブあたり 66 ユニット
S(TA)	表面実装リードフォーム (ロープロファイル) + TA テープ & リールオプション	リールあたり 1000 ユニット
S(TA1)	表面実装リードフォーム (ロープロファイル) + TA1 テープ & リールオプション	リールあたり 1000 ユニット

命名規則

1. メーカー: ORIENT。

2. 部品番号: 4N25、4N26、4N27、4N28、4N35、4N36、4N37 または 4N38。

年コード：「21」は「2021」などを意味します。
週コード： 01 は第 1 週、02 は第 2 週を意味します。
VDE コード。 (オプション)
アノード。

外寸

OR-4NXX

消費グレードのフォトトランジスタオプトカプラ OR-3H7-EN-V13

OR-4NXXM

消費グレードのフォトトランジスタオプトカプラ OR-3H7-EN-V13

OR-4NXXS

消費グレードのフォトトランジスタオプトカプラ OR-3H7-EN-V13

推奨フットプリントパターン（マウントパッド）

単位：mm

テーピング寸法

OR-4NXXS-TA

消費グレードのフォトトランジスタオプトカプラ OR-3H7-EN-V13

OR-4NXXS-TA1

消費グレードのフォトトランジスタオプトカプラ OR-3H7-EN-V13

説明	シンボル	寸法 (インチ)
テープ幅	W	16±0.3（0.63）
スプロケット穴のピッチ	P0	4±0.1（0.15）
コンパートメントの距離	ファ	7.5±0.1（0.295）
コンパートメントの距離	P2	2±0.1（0.079）
コンパートメント間の距離	P1	12±0.1（0.472）

パッケージタイプ	TA/TA1
数量(個)	1000

パッケージの寸法

DIP/M タイプ

梱包情報
梱包タイプ	チューブ
チューブあたりの数量	66 個
小箱（内寸）	52512860mm
大型ボックス（外寸）	545290335mm
内箱あたりの金額	3,300 個
外箱あたりの金額	33,000 個

SOP タイプ

梱包情報
梱包タイプ	リールタイプ
テープ幅	16mm
リールあたりの数量	1,000 個
小箱（内側）寸法	34534558.5mm
大型ボックス（外寸）	620x360x360mm
小箱あたりの最大数量	2,000 個
大きな箱あたりの最大数量	20,000 個

梱包ラベルのサンプル

消費グレードのフォトトランジスタオプトカプラ OR-3H7-EN-V13

注記：

材料コード : 製品 ID。
P/N :仕様書に「注文情報」が記載されている内容。
ロット番号：製品データ。
D/C : 製品週。
数量 : 梱包数量。

信頼性テスト

はんだ付けの温度プロファイル

(1) IR リフローはんだ付け (JEDEC-STD-020C 準拠)

以下に示す温度と時間プロファイルの条件で、1 回限りのリフローはんだ付けを推奨します。はんだ付けは3回を超えて行わないでください。

プロフィールアイテム	条件
予熱最小温度 (T Smin ) 最大温度 (T Smax ) - 時間 (最小から最大まで) (ts)	150℃ 200℃ 90±30 秒
はんだ付けゾーン - 温度 (TL) - 時間 (t L )	217℃ 60 秒
最高気温	260℃
最高気温時間	20 秒
ランプアップ率	最大 3˚C/秒
ピーク温度からのランプダウン率	3~6℃/秒
リフロー時間	≤3

消費グレードのフォトトランジスタオプトカプラ OR-3H7-EN-V13

(2) ウェーブはんだ付け (JEDEC22A111 準拠)

はんだ付けは温度条件内で1回のみを推奨します。

温度

時間

260+0/-5℃

10 秒

予熱温度

予熱時間

25 ～ 140 ℃

30 ～ 80 秒

消費グレードのフォトトランジスタオプトカプラ OR-3H7-EN-V13

(3) はんだごてによる手はんだ付け

すべてのプロセスで単一のリードはんだ付けを許可します。はんだ付けは1回のみを推奨します。

温度

380+0/-5℃

時間

最大 3 秒

特性曲線

消費グレードのフォトトランジスタオプトカプラ OR-3H7-EN-V13

製品説明

フォトカプラ 3H7

フォトカプラメーカー

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