ハイパワー サイリスタ フォトカプラ OR-X223-(JD)-EN-V0

低トリガー電流 IFT 10mA。

製品説明

サイリスタフォトカプラ

1. 特徴

(1) 低トリガー電流 IFT 10mA。

(2) 繰り返しピークオフ状態電圧 850V 。

(3) 負荷電流 0.3A、0.6A、0.9A または 1.2A。

(4) -55°C ~ 85°C の広い動作温度範囲。

(5) 入力と出力の間の高い絶縁電圧 (Viso=5000 Vrms)。

(6) 安全性の承認

UL 承認済み (No.E323844)

VDE 承認済み (No.40029733)

CQC 承認済み (No.CQC19001231254 )

(7) RoHS、REACH規格に準拠しています。

(8) MSL クラス Ⅰ

 

2. 指示

OR-X223-(JD) シリーズのデバイスは、それぞれ GaAs 赤外線放射で構成されています

モノリシックシリコンランダム位相フォトトライアックとメインに光学的に結合されたダイオード

出力トライアック。電子制御と負荷の間のインターフェースとして設計されています。

は 115 ~ 240 VAC 動作用の誘導制御です。 8ピン DIP でパッケージ化されています

パッケージで、表面実装 SMD オプションで利用可能です。

 

3. 適用範囲

 家電製品

 産業機器

 モーター、ファン、ヒーター、ソレノイド、バルブの切り替え。

 照明や温度制御などの電力制御

 

4. 機能図

LED アノード 2

LED カソード 1、3、4

トライアック ゲート  5

トライアック T1 6

トライアック T2 8

 高出力サイリスタ フォトカプラ

5.パッケージの寸法

 

(1) パッケージ寸法
 高出力サイリスタ フォトカプラ
 
(2)梱包ラベルのサンプル
 高出力サイリスタ フォトカプラ
注:
1. 材料コード : 製品 ID。
2. P/N :「注文
」の内容 仕様の「
情報」。
3. ロット番号:製品データ。
4. D/C : 製品週。
5. 数量: 梱包数量。
 
6.はんだ付けの温度プロファイル
(1) IRリフローはんだ付け(JEDEC-STD-020C準拠)
注: 以下の温度と時間のプロファイルで説明されている条件下では、1 回のはんだ逆流が推奨されます。  の溶接は 3 回を超えて行わないでください。
 高出力サイリスタ フォトカプラ
 高出力サイリスタ フォトカプラ
 

 

高速絶縁オペアンプフォトカプラ

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