ハイパワー サイリスタ フォトカプラ OR-X223-EN-V7

1. 特徴

(1) 低トリガー電流 IFT 10mA。

(2) 繰り返しピークオフ電圧 800V 。

(3) 負荷電流 0.3A、0.6A、0.9A または 1.2A。

(4) -55°C ～ 85°C の広い動作温度範囲。

(5) 入力と出力の間の高い絶縁電圧 (Viso=5000 Vrms)。

(6) 安全性承認

UL 承認済み (No.E323844)

VDE 承認済み (No.40029733)

CQC 承認済み (No.CQC19001231254 )

(7) RoHS、REACH 規格に準拠しています。

(8) MSL クラス Ⅰ

2. 指示

OR-X223 シリーズのデバイスはそれぞれ、モノリシック シリコン ランダム位相フォト トライアックとメイン出力トライアックに光学的に結合された GaAs 赤外発光ダイオードで構成されています。これらは、電子制御と負荷の間のインターフェースとして設計されており、115 ～ 240 VAC 動作の誘導を制御します。これらは 8 ピン DIP パッケージでパッケージされており、表面実装 SMD オプションで利用可能です。

3. 適用範囲

 家電製品

 産業機器

 モーター、ファン、ヒーター、ソレノイド、バルブの切り替え。

 照明や温度制御などの電力制御

4. 機能図

LED アノード 2

LED カソード 1,3,4

トライアック ゲート  5

トライアック T1 6

トライアック T2 8

5. 絶対最大定格 (Ta=25℃)

注:

*1 f =100Hz、デューティサイクル = 0.1%

※2 正弦波、50～60Hz、IFT=0mA。

※3 f=60Hz、1周期。

*4 AC 1 分間、R.H.= 40 ～ 60% R.H. このテストでは、

ピン 1、2、3、4 が互いに短絡し、ピン 5、6、7、8 が互いに短絡しています。

*5 10秒間

 

6.はんだ付けの温度プロファイル

（1） IRリフローはんだ付け（JEDEC-STD-020C準拠）

注: 以下の温度および時間プロファイルで説明されている条件下では、1 回のはんだ逆流が推奨されます。  の溶接は 3 回を超えて行わないでください。