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HawaiianTIL113、4NXX シリーズのデバイスは、それぞれダーリントン検出器に光学的に結合された赤外線発光ダイオードで構成されています。これらは 6 ピン DIP パッケージにパッケージされており、広いリード間隔と SMD オプションで入手可能です。
特長
(1) 4NXX シリーズ: 4N29、 4N30、 4N31、 4N32、 4N33 6558} TIL113 シリーズ: TIL113。
(2) 高い 絶縁 電圧 入力 および 出力 (Viso=5000 V rms)
(3) 沿面距離 距離 >7.62 mm
(4) 動作温度 は から +115°C
(5) コンパクト デュアルインライン パッケージ
(6) 安全性 承認
UL 承認済み(No.E323844)
VDE 承認済み(No.40029733)
CQC 承認済み (No.CQC19001231480 )
(7) RoHS、 に準拠} 規格に到達します。
(8) MSL クラス Ⅰ
説明書
TIL113、4NXX シリーズのデバイスはそれぞれ、ダーリントン検出器に光学的に結合された赤外線放射ダイオードで構成されています。 6 ピン DIP パッケージで、広いリード間隔と SMD オプションで利用可能です。
適用範囲
低電力論理回路
通信機器
携帯電子機器
異なる電位とインピーダンスのインターフェース結合システム
絶対定格最大値(常温=25℃)
|
パラメータ |
シンボル |
定格値 |
ユニット |
|
|
入力 |
順電流 |
IF |
60 |
ミリアンペア |
|
ジャンクション温度 |
TJ |
125 |
℃ |
|
|
逆電圧 |
VR |
6 |
V |
|
|
許容損失 (TA = 25°C) ディレーティング係数 (100°C 以上) |
PD |
120 |
メガワット |
|
|
3.8 |
mW/℃ |
|||
|
出力 |
コレクタ - エミッタ間電圧 |
VCEO |
80 |
V |
|
コレクタ - ベース電圧 |
VCBO |
80 |
||
|
エミッタ・コレクタ間電圧 |
ベコ |
7 |
||
|
エミッタ - ベース間電圧 |
ベボ |
7 |
||
|
許容損失 (TA = 25°C) ディレーティング係数 (100°C 以上) |
パソコン |
150 |
メガワット |
|
|
6.5 |
mW/℃ |
|||
|
総消費電力 |
ポイント |
200 |
メガワット |
|
|
*1 絶縁電圧 |
ビザ |
5000 |
Vrms |
|
|
使用温度 |
トップル |
-55 ~ + 115 |
℃ |
|
|
堆積温度 |
TSTG |
-55 ~ + 150 |
||
|
*2 はんだ付け温度 |
ツソル |
260 |
||
※1. AC テスト、1 分間、湿度 = 40 ~ 60% 以下の絶縁テスト方法:
フォトカプラの両端子をショートさせてください。
絶縁電圧をテストするときの電流。
テスト時に正弦波電圧を追加する
※2.はんだ付け時間は10秒です。
光電子特性
|
パラメータ |
シンボル |
分 |
標準値* |
マックス |
ユニット |
状態 |
||
|
入力 |
順電圧 |
VF |
--- |
1.2 |
1.5 |
V |
IF=10mA |
|
|
逆電流 |
赤外線 |
--- |
--- |
10 |
μA |
VR=6V |
||
|
コレクタ容量 |
シン |
--- |
50 |
--- |
pF |
V=0、f=1MHz |
||
|
出力 |
コレクタベースの暗電流 |
ICBO |
--- |
--- |
20 |
該当なし |
VCB=10V |
|
|
コレクタからエミッタへの電流 |
アイセオ |
--- |
--- |
100 |
該当なし |
VCE=10V、IF=0mA |
||
|
コレクタ - エミッタ間減衰電圧 |
BVCEO |
55 |
--- |
--- |
V |
IC=1mA |
||
|
コレクタ - ベースのブレークダウン電圧 |
BVCBO |
55 |
--- |
--- |
V |
IC=0.1mA |
||
|
エミッタ - コレクタ間減衰電圧 |
ビベコ |
7 |
--- |
--- |
V |
IE=0.1mA |
||
|
TransformingCharacteristic |
電流伝達率 |
4N32,4N33 |
クリック率 |
500 |
--- |
--- |
% |
IF=10mA VCE=10V |
|
4N29,4N30 |
100 |
--- |
--- |
|||||
|
4N31 |
50 |
--- |
--- |
|||||
|
TIL113 |
300 |
--- |
--- |
IF=10mAVCE=1V |
||||
|
コレクタおよびエミッタの飽和電圧 |
4N29、4N30、4N32、4N33 |
VCE(土) |
--- |
--- |
1.0 |
V |
IF=8mA IC=2mA |
|
|
4N31,TIL113 |
--- |
--- |
1.2 |
IF=8mA、IC=2mA |
||||
|
絶縁抵抗 |
リソ |
1011 |
--- |
--- |
Ω |
DC500V 40~60%R.H. |
||
|
入出力容量 |
CIO |
--- |
0.8 |
--- |
pF |
VIO=0、f=1MHz |
||
|
応答時間 |
トラ |
--- |
3 |
10 |
μs |
VCC=10V、IC=10mARL=100Ω |
||
|
降下時間 |
TF |
--- |
6 |
10 |
μs |
|||
電流変換率 = IC / IF × 100%
注文情報
部品番号
または OR-TIL113Y-Z-W
注記
4NXX = 部品番号 (4N29,4N3) 0,4N31,4N32または 4N33)
TIL113= 部品番号
Y = リード形式オプション (S、M またはなし)
Z = テープ アンド リール オプション (TA、TA1 またはなし)。
W= VDE 安全のための「V」コード (このオプションは必要ありません)。
*VDE コードは選択可能です。
|
オプション |
説明 |
梱包数量 |
|
なし |
標準 DIP-6 |
チューブあたり 66 ユニット |
|
M |
広いリード ベンド (0.4 インチ間隔) |
チューブあたり 66 ユニット |
|
S(TA) |
表面実装リード フォーム (薄型) + TA テープ & リール オプション |
リールあたり 1000 ユニット |
|
S(TA1) |
表面実装リード フォーム (薄型) + TA1 テープ & リール オプション |
リールあたり 1000 ユニット |