ダーリントン フォトカプラ OR-4NXX_OR-TIL113(ダーリントン)-EN-V3

TIL113、4NXX シリーズのデバイスは、それぞれダーリントン検出器に光学的に結合された赤外線発光ダイオードで構成されています。これらは 6 ピン DIP パッケージにパッケージされており、広いリード間隔と SMD オプションで入手可能です。

製品説明

ダーリントンフォトカプラ

 ダーリントン フォトカプラ OR-4NXX_OR-TIL113(ダーリントン)-EN-V3

特長

(1)  4NXX  シリーズ:  4N29、 4N30、 4N31、 4N32、 4N33 6558} TIL113  シリーズ:  TIL113。

(2)  高い  絶縁  電圧   入力  および  出力  (Viso=5000  V  rms)

(3)  沿面距離  距離  >7.62  mm

(4)  動作温度   は  から  +115°C

(5) コンパクト  デュアルインライン  パッケージ

(6)  安全性  承認

UL 承認済み(No.E323844)  

VDE 承認済み(No.40029733)

CQC 承認済み  (No.CQC19001231480  )

(7)    RoHS、 に準拠}  規格に到達します。

(8)  MSL  クラス Ⅰ

 

説明書

TIL113、4NXX シリーズのデバイスはそれぞれ、ダーリントン検出器に光学的に結合された赤外線放射ダイオードで構成されています。 6 ピン DIP パッケージで、広いリード間隔と SMD オプションで利用可能です。

適用範囲

  1. 低電力論理回路

  2. 通信機器

  3. 携帯電子機器

  4. 異なる電位とインピーダンスのインターフェース結合システム

 

絶対定格最大値(常温=25℃)

パラメータ

シンボル

定格値

ユニット

入力

順電流

IF

60

ミリアンペア

ジャンクション温度

TJ

125

逆電圧

VR

6

V

許容損失 (TA = 25°C) ディレーティング係数 (100°C 以上)

PD

120

メガワット

3.8

mW/℃

出力

コレクタ - エミッタ間電圧

VCEO

80

V

コレクタ - ベース電圧

VCBO

80

エミッタ・コレクタ間電圧

ベコ

7

エミッタ - ベース間電圧

ベボ

7

許容損失 (TA = 25°C) ディレーティング係数 (100°C 以上)

パソコン

150

メガワット

6.5

mW/℃

総消費電力

ポイント

200

メガワット

*1 絶縁電圧

ビザ

5000

Vrms

使用温度

トップル

-55 ~ + 115

堆積温度

TSTG

-55 ~ + 150

*2 はんだ付け温度

ツソル

260

※1. AC テスト、1 分間、湿度 = 40 ~ 60% 以下の絶縁テスト方法:

    1. フォトカプラの両端子をショートさせてください。

    2. 絶縁電圧をテストするときの電流。

    3. テスト時に正弦波電圧を追加する

※2.はんだ付け時間は10秒です。

光電子特性

パラメータ

シンボル

標準値*

マックス

ユニット

状態

入力

順電圧

VF

---

1.2

1.5

V

IF=10mA

逆電流

赤外線

---

---

10

μA

VR=6V

コレクタ容量

シン

---

50

---

pF

V=0、f=1MHz

出力

コレクタベースの暗電流

ICBO

---

---

20

該当なし

VCB=10V

コレクタからエミッタへの電流

アイセオ

---

---

100

該当なし

VCE=10V、IF=0mA

コレクタ - エミッタ間減衰電圧

BVCEO

55

---

---

V

IC=1mA

コレクタ - ベースのブレークダウン電圧

BVCBO

55

---

---

V

IC=0.1mA

エミッタ - コレクタ間減衰電圧

ビベコ

7

---

---

V

IE=0.1mA

TransformingCharacteristic

電流伝達率

4N32,4N33

クリック率

500

---

---

%

IF=10mA VCE=10V

4N29,4N30

100

---

---

4N31

50

---

---

TIL113

300

---

---

IF=10mAVCE=1V

コレクタおよびエミッタの飽和電圧

4N29、4N30、4N32、4N33

VCE(土)

---

---

1.0

V

IF=8mA IC=2mA

4N31,TIL113

---

---

1.2

IF=8mA、IC=2mA

絶縁抵抗

リソ

1011

---

---

Ω

DC500V 40~60%R.H.

入出力容量

CIO

---

0.8

---

pF

VIO=0、f=1MHz

応答時間

トラ

---

3

10

μs

VCC=10V、IC=10mARL=100Ω

降下時間

TF

---

6

10

μs

  • 電流変換率 = IC / IF × 100%

 

注文情報

部品番号



または OR-TIL113Y-Z-W

注記

4NXX = 部品番号 (4N29,4N3) 0,4N31,4N32または 4N33)

TIL113= 部品番号

Y = リード形式オプション (S、M またはなし)

Z = テープ アンド リール オプション (TA、TA1 またはなし)。

W= VDE 安全のための「V」コード (このオプションは必要ありません)。

*VDE コードは選択可能です。

オプション

説明

梱包数量

なし

標準 DIP-6

チューブあたり 66 ユニット

M

広いリード ベンド (0.4 インチ間隔)

チューブあたり 66 ユニット

S(TA)

表面実装リード フォーム (薄型) + TA テープ & リール オプション

リールあたり 1000 ユニット

S(TA1)

表面実装リード フォーム (薄型) + TA1 テープ & リール オプション

リールあたり 1000 ユニット

 

GaAIA/GaAs 940 IrEDチップ

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